是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.78 | 外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 10 A | 集电极-发射极最大电压: | 60 V |
配置: | DARLINGTON | 最小直流电流增益 (hFE): | 100 |
JEDEC-95代码: | TO-3 | JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | PNP |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | PIN/PEG | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N6649E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor |
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2N6649LEADFREE | CENTRAL | 暂无描述 |
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2N665 | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3 |
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2N6650 | MOSPEC | POWER TRANSISTORS(10A,100W) |
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2N6650 | CENTRAL | POWER TRANSISTORS TO-3 CASE |
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2N6650 | NJSEMI | COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
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