Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> 2N6607LEADFREE

2N6607LEADFREE

更新时间： 2024-11-24 13:04:07

品牌	Logo	应用领域
CENTRAL		栅极可控硅
页数	文件大小	规格书
1页	60K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 1.6A I(T)RMS, 100V V(RRM), 1 Element, TO-18,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2N6607LEADFREE 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.13
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	0.2 mA
JEDEC-95代码：	TO-18	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	1.6 A	重复峰值反向电压：	100 V
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN (315)
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

2N6607LEADFREE 数据手册

SCRs

(Continued)

(AMPS)

1.6

4.0

@ T ( C)

6.0

(AMPS)

TSM

CASE

TO-18

TO-39

TO-202

TO-202-2

TO-202

(VOLTS)

RRM

2N6605

2N6606

2N6607

2N6608

100

200

C106A1

C106B1

CS39-4B

CS39-4D

CS202-4B

CS202-4B-2

300

400

500

600

800

C106C1

C106D1

C106E1

C106M1

CS202-4D

CS202-4M

CS202-4D-2

CS202-4M-2

CS39-4M

CS39-4N

200µA

0.8V

200µA

0.8V

200µA

0.8V

200µA

0.8V

200µA

0.8V

5.0mA

181

www.centralsemi.com

中文翻译

下载PDF

与2N6607LEADFREE相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N6607TIN/LEAD	CENTRAL	获取价格	Silicon Controlled Rectifier,
2N6608	CENTRAL	获取价格	SCRs
2N6608LEADFREE	CENTRAL	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1.6A I(T)RMS, 200V V(RRM), 1 Element, TO-18,
2N6609	ONSEMI	获取价格	COMPLEMENTARY POWER TRANSISTORS
2N6609	MOSPEC	获取价格	POWER TRANSISTORS(16A,140V,150W)
2N6609	BOCA	获取价格	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
2N6609	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 16A I(C), 140V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,
2N6609	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT PNP 140V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-3
2N6609LEADFREE	CENTRAL	获取价格	Power Bipolar Transistor, 16A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2
2N661	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 300V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-3 Sleeve