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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DISK BUTTON, O-CRDB-F4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOW NOISE | 最大集电极电流 (IC)： | 0.02 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 20 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 | 最高频带： | L BAND |
| JESD-30 代码： | O-CRDB-F4 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | DISK BUTTON |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 0.3 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.15 W |
| 最小功率增益 (Gp)： | 11 dB | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | RADIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6619 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-236 |
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| 2N662 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 300V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-3 Sleeve |
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| 2N6620 | INFINEON |
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NPN SILICON TRANSISTOR FOR LOW NOISE RF BROADBAND AMPLIFIER |
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| 2N6621 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 25MA I(C) | MACRO-T |
|
| 2N663 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-3 |
|
| 2N6648 | NJSEMI |
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COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
|
| 2N6648 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| 2N6648 | MOSPEC |
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POWER TRANSISTORS(10A,100W) |
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| 2N6648 | CENTRAL |
获取价格 |
POWER TRANSISTORS TO-3 CASE |
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| 2N6648E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor |
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