5秒后页面跳转
2N6621 PDF预览

2N6621

更新时间: 2024-01-24 00:44:04
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 131K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 25MA I(C) | MACRO-T

2N6621 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.67最大集电极电流 (IC):0.025 A
配置:Single最小直流电流增益 (hFE):20
JESD-609代码:e0最高工作温度:125 °C
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.2 W
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)标称过渡频率 (fT):1200 MHz
Base Number Matches:1

2N6621 数据手册

 浏览型号2N6621的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2N6621的Datasheet PDF文件第3页 

与2N6621相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2N663 ETC TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-3

获取价格

2N6648 NJSEMI COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

获取价格

2N6648 MICROSEMI PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

获取价格

2N6648 MOSPEC POWER TRANSISTORS(10A,100W)

获取价格

2N6648 CENTRAL POWER TRANSISTORS TO-3 CASE

获取价格

2N6648E3 MICROSEMI Power Bipolar Transistor

获取价格