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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.58 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 10 A | 配置： | DARLINGTON |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 1000 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 27 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 标称过渡频率 (fT)： | 20 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6649E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor |
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| 2N6649LEADFREE | CENTRAL |
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暂无描述 |
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| 2N665 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3 |
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| 2N6650 | MOSPEC |
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POWER TRANSISTORS(10A,100W) |
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| 2N6650 | CENTRAL |
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POWER TRANSISTORS TO-3 CASE |
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| 2N6650 | NJSEMI |
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COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
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| 2N6650 | MICROSEMI |
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PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR |
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| 2N6650E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor |
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| 2N6650LEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| 2N6650PBFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, |
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