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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.77 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 10 A | 集电极-发射极最大电压： | 40 V |
| 配置： | DARLINGTON | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JEDEC-95代码： | TO-3 | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N6648E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor |
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| 2N6648LEADFREE | CENTRAL | 暂无描述 |
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| 2N6649 | NJSEMI | PNP DARLINGTON TRANSISTOR |
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| 2N6649 | MOSPEC | POWER TRANSISTORS(10A,100W) |
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| 2N6649 | CENTRAL | POWER TRANSISTORS TO-3 CASE |
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| 2N6649 | MICROSEMI | PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR |
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