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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.68 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.03 A |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 25 |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 标称过渡频率 (fT)： | 3600 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6621 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 25MA I(C) | MACRO-T |
|
| 2N663 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-3 |
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| 2N6648 | NJSEMI |
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COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
|
| 2N6648 | MICROSEMI |
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PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| 2N6648 | MOSPEC |
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POWER TRANSISTORS(10A,100W) |
|
| 2N6648 | CENTRAL |
获取价格 |
POWER TRANSISTORS TO-3 CASE |
|
| 2N6648E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor |
|
| 2N6648LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2N6649 | NJSEMI |
获取价格 |
PNP DARLINGTON TRANSISTOR |
|
| 2N6649 | MOSPEC |
获取价格 |
POWER TRANSISTORS(10A,100W) |
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