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2N6619

更新时间： 2024-01-05 00:13:10

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	205K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 12V V(BR)CEO \| 30MA I(C) \| TO-236

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2N6619 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.69	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.03 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	25	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	125 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)：	3600 MHz	Base Number Matches：	1

2N6619 数据手册

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N662	NJSEMI	Trans GP BJT NPN 300V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-3 Sleeve	获取价格
2N6620	INFINEON	NPN SILICON TRANSISTOR FOR LOW NOISE RF BROADBAND AMPLIFIER	获取价格
2N6621	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 15V V(BR)CEO \| 25MA I(C) \| MACRO-T	获取价格
2N663	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 25V V(BR)CEO \| 4A I(C) \| TO-3	获取价格
2N6648	NJSEMI	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS	获取价格
2N6648	MICROSEMI	PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR	获取价格

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