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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N662 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 300V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-3 Sleeve |
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| 2N6620 | INFINEON |
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NPN SILICON TRANSISTOR FOR LOW NOISE RF BROADBAND AMPLIFIER |
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| 2N6621 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 25MA I(C) | MACRO-T |
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| 2N663 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-3 |
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| 2N6648 | NJSEMI |
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COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
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| 2N6648 | MICROSEMI |
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PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR |
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| 2N6648 | MOSPEC |
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POWER TRANSISTORS(10A,100W) |
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| 2N6648 | CENTRAL |
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POWER TRANSISTORS TO-3 CASE |
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| 2N6648E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor |
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| 2N6648LEADFREE | CENTRAL |
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暂无描述 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
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