Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> 2N6607TIN/LEAD

2N6607TIN/LEAD

更新时间： 2024-11-24 13:04:03

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CENTRAL		栅极可控硅
页数	文件大小	规格书
1页	60K
描述
Silicon Controlled Rectifier,

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2N6607TIN/LEAD 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.77
JESD-609代码：	e0	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

2N6607TIN/LEAD 数据手册

SCRs

(Continued)

(AMPS)

1.6

4.0

@ T ( C)

6.0

(AMPS)

TSM

CASE

TO-18

TO-39

TO-202

TO-202-2

TO-202

(VOLTS)

RRM

2N6605

2N6606

2N6607

2N6608

100

200

C106A1

C106B1

CS39-4B

CS39-4D

CS202-4B

CS202-4B-2

300

400

500

600

800

C106C1

C106D1

C106E1

C106M1

CS202-4D

CS202-4M

CS202-4D-2

CS202-4M-2

CS39-4M

CS39-4N

200µA

0.8V

200µA

0.8V

200µA

0.8V

200µA

0.8V

200µA

0.8V

5.0mA

181

www.centralsemi.com

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与2N6607TIN/LEAD相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N6608	CENTRAL	获取价格	SCRs
2N6608LEADFREE	CENTRAL	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1.6A I(T)RMS, 200V V(RRM), 1 Element, TO-18,
2N6609	ONSEMI	获取价格	COMPLEMENTARY POWER TRANSISTORS
2N6609	MOSPEC	获取价格	POWER TRANSISTORS(16A,140V,150W)
2N6609	BOCA	获取价格	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
2N6609	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 16A I(C), 140V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,
2N6609	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT PNP 140V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-3
2N6609LEADFREE	CENTRAL	获取价格	Power Bipolar Transistor, 16A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2
2N661	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 300V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-3 Sleeve
2N6617	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 16V V(BR)CEO \| 10MA I(C) \| MICRO-X