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2N6608LEADFREE

更新时间： 2024-11-24 19:53:31

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CENTRAL		栅栅极
页数	文件大小	规格书
2页	522K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 1.6A I(T)RMS, 200V V(RRM), 1 Element, TO-18,

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2N6608LEADFREE 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.14
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	0.2 mA
JEDEC-95代码：	TO-18	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	1.6 A	重复峰值反向电压：	200 V
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN (315)
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

2N6608LEADFREE 数据手册

2N6605

2N6606

2N6607

2N6608

www.centralsemi.com

DESCRIPTION:

SILICON CONTROLLED RECTIFIER

0.35 AMP, 30 THRU 200 VOLTS

The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N6605 Series

types are hermetically sealed silicon controlled

rectifiers manufactured in a TO-18 case, designed for

control systems and sensing circuit applications.

MARKING: FULL PART NUMBER

TO-18 CASE

MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)

SYMBOL

, V

2N6605

2N6606

2N6607

2N6608 UNITS

Peak Repetitive Off-State Voltage

100

200

DRM RRM

Average On-State Current

0.35

Peak One Cycle Surge Current (t=8.3ms)

Peak Gate Voltage

6.0

TSM

8.0

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

-40 to +125

-40 to +150

°C

stg

ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN

MAX

120

250

200

0.8

UNITS

Rated V

, R =1.0KΩ

DRM GK

DRM

RRM

V =6.0V, R =100Ω

μA

V =6.0V, R =100Ω

I =2.0A

2.0

=1.0KΩ

5.0

R0 (30-March 2011)

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