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| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.68 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 16 A | 集电极-发射极最大电压： | 140 V |
| 配置： | SINGLE | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | PNP |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6609LEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 16A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| 2N661 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 300V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-3 Sleeve |
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| 2N6617 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 16V V(BR)CEO | 10MA I(C) | MICRO-X |
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| 2N6618 | AGILENT |
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Transistor |
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| 2N6618 | MOTOROLA |
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L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2N6619 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-236 |
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| 2N662 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 300V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-3 Sleeve |
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| 2N6620 | INFINEON |
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NPN SILICON TRANSISTOR FOR LOW NOISE RF BROADBAND AMPLIFIER |
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| 2N6621 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 25MA I(C) | MACRO-T |
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| 2N663 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-3 |
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