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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.49 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 250 |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.625 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6428A | FAIRCHILD |
获取价格 |
NPN Epitaxial Silicon Transistor |
|
| 2N6428A | SAMSUNG |
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NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
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| 2N6428A | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 3-Pin TO-92 |
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| 2N6428A-AMMO | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 200 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Smal |
|
| 2N6428ABU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
|
| 2N6428AD26Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 |
|
| 2N6428AD74Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 |
|
| 2N6428AD75Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 |
|
| 2N6428-AMMO | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 200 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Smal |
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| 2N6428LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
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