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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.36 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 200 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 |
| JEDEC-95代码： | TO-18 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 50 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2N6430LEADFREE | CENTRAL |
功能相似  |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6430LEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, |
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| 2N6430TIN/LEAD | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, |
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| 2N6431 | NJSEMI |
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SMALL SIGNAL TRANSISTORS |
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| 2N6431 | CENTRAL |
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Small Signal Transistors |
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| 2N6431LEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, |
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| 2N6431PBFREE | CENTRAL |
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| 2N6431TIN/LEAD | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, |
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| 2N6432 | CENTRAL |
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Small Signal Transistors |
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| 2N6432 | NJSEMI |
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Trans GP BJT PNP 200V 0.1A 3-Pin TO-18 Box |
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| 2N6432LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-18, |
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