Datasheet > 2N6432LEADFREE

2N6432LEADFREE

更新时间： 2024-02-24 10:44:02

品牌	Logo	应用领域
CENTRAL		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	900K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-18,

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2N6432LEADFREE 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.37
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	200 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JEDEC-95代码：	TO-18	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN (315)	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz	Base Number Matches：	1

2N6432LEADFREE 数据手册

2N6430 2N6431 NPN

2N6432 2N6433 PNP

www.centralsemi.com

COMPLEMENTARY

SILICON TRANSISTORS

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N6430 series

devices are complementary small signal silicon

transistors manufactured by the epitaxial planar

process, designed for high voltage amplifier applications.

MARKING: FULL PART NUMBER

TO-18 CASE

2N6430

2N6432

200

2N6431

2N6433

300

MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)

Collector-Base Voltage

SYMBOL

UNITS

CBO

CEO

EBO

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage (NPN)

Emitter-Base Voltage (PNP)

Continuous Collector Current

200

300

6.0

5.0

100

1.8

500

Power Dissipation (T =25°C)

Power Dissipation

°C

Operating and Storage Junction Temperature

Thermal Resistance

T , T

-65 to +200

0.35

stg

°C/mW

°C/W

Thermal Resistance

97.2

ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)

2N6430

2N6431

2N6432

2N6433

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN

MAX

100

MIN

MAX

250

UNITS

=160V (2N6430, 2N6432)

=200V (2N6431, 2N6433)

=4.0V

CBO

EBO

100

250

100

=3.0V

100

I =100μA (2N6430, 2N6432)

200

300

200

300

6.0

200

300

200

300

5.0

CBO

CEO

EBO

I =100μA (2N6431, 2N6433)

I =1.0mA (2N6430, 2N6432)

I =1.0mA (2N6431, 2N6433)

I =100μA

I =20mA, I =2.0mA

0.5

0.9

0.5

0.9

CE(SAT)

BE(SAT)

I =20mA, I =2.0mA

=10V, I =1.0mA

=10V, I =10mA

=10V, I =30mA

200

150

R1 (26-July 2013)

12 3 4

下载PDF

与2N6432LEADFREE相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N6433	CENTRAL	Small Signal Transistors	获取价格
2N6433	NJSEMI	Trans GP BJT PNP 300V 0.1A 3-Pin TO-18 Box	获取价格
2N6433LEADFREE	CENTRAL	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-18,	获取价格
2N6436	SAVANTIC	Silicon PNP Power Transistors	获取价格
2N6436	ISC	Silicon PNP Power Transistors	获取价格
2N6436	MOSPEC	POWER TRANSISTORS(25A,200W)	获取价格