是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-3 |
包装说明: | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.12 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 25 A |
集电极-发射极最大电压: | 120 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 12 | JEDEC-95代码: | TO-204AA |
JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 200 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | PNP | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 40 MHz | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N6438A | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 120V 25A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | |
2N6439 | ASI |
获取价格 |
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | |
2N6439 | MOTOROLA |
获取价格 |
60 W, 225 to 400 MHz CONTROLLED “Q” BROADBAND | |
2N6439 | TE |
获取价格 |
POWER TRANSISTOR | |
2N6439 | NJSEMI |
获取价格 |
BROADBAND RF POWER TRANSISTOR | |
2N6439 | MACOM |
获取价格 |
Bipolar The RF Line NPN Silicon Power Transistor 60W, 225 to 400MHz, 28V | |
2N6441 | ETC |
获取价格 |
SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS | |
2N6442 | ETC |
获取价格 |
SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS | |
2N6443 | ETC |
获取价格 |
SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS | |
2N6444 | ETC |
获取价格 |
SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS |