5秒后页面跳转
2N6452 PDF预览

2N6452

更新时间: 2024-02-26 05:24:28
品牌 Logo 应用领域
NJSEMI /
页数 文件大小 规格书
1页 154K
描述
N-CHANNEL SILICON JUNCTION FET

2N6452 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.65Is Samacsys:N
FET 技术:JUNCTIONJESD-609代码:e0
最高工作温度:200 °C极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.36 W子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches:1

2N6452 数据手册

  

与2N6452相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2N6453 INTERFET N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor

获取价格

2N6454 INTERFET N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor

获取价格

2N6461 SEME-LAB Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package

获取价格

2N6461 NJSEMI N-P-N SILICON TRANSISTORS

获取价格

2N6462 NJSEMI N-P-N SILICON TRANSISTORS

获取价格

2N6462 SEME-LAB Bipolar NPN Device

获取价格