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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> 2N6451
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2N6451

更新时间： 2024-11-03 23:16:11
品牌 Logo 应用领域
INTERFET 晶体小信号场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 96K
描述
N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor

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2N6451 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W4
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.37其他特性：LOW NOISE
配置：SINGLEFET 技术：JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：5 pFJEDEC-95代码：TO-72
JESD-30 代码：O-MBCY-W4元件数量：1
端子数量：4工作模式：DEPLETION MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.36 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2N6451 数据手册

  
01/99  
B-25  
2N6451, 2N6452  
N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor  
Absolute maximum ratings at T = 25¡C  
¥ Audio Amplifiers  
¥ Low-Noise, High Gain  
Amplifiers  
A
2N6451  
– 20 V  
– 20 V  
10 mA  
360 mW  
2N6452  
– 25 V  
– 25 V  
10 mA  
360 mW  
Reverse Gate Source Voltage  
Reverse Gate Drain Voltage  
Continuous Forward Gate Current  
Continuous Device Power Dissipation  
Power Derating  
¥ Low-Noise Preamplifiers  
2.88 mW/°C 2.88 mW/°C  
At 25°C free air temperature:  
Static Electrical Characteristics  
2N6451  
2N6452  
Process NJ132L  
Test Conditions  
I = – 1 µA, V = ØV  
Min Max Min Max Unit  
Gate Source Breakdown Voltage  
V
– 20  
– 25  
V
nA  
(BR)GSS  
G
DS  
– 0.1  
– 0.2  
V
= – 10V, V = ØV  
GS  
DS  
– 0.5 nA  
µA  
V
= – 15V, V = ØV  
GS  
DS  
Gate Reverse Current  
I
GSS  
V
= – 10V, V = ØV  
T = 125°C  
GS  
DS  
A
– 1  
– 0.5 – 3.5 – 0.5 – 3.5  
µA  
V
V
= – 15V, V = ØV  
T = 125°C  
GS  
DS  
A
Gate Source Cutoff Voltage  
V
V
= 10V, I = 0.5 nA  
GS(OFF)  
DS  
D
Drain Saturation Current (Pulsed)  
I
5
20  
5
20  
mA  
V
= 10V, V = ØV  
DSS  
DS  
GS  
Dynamic Electrical Characteristics  
15  
30  
50  
25  
5
15  
30  
50  
25  
5
mS  
mS  
µS  
µS  
pF  
pF  
pF  
pF  
V
= 10V, I = 5 mA  
f = 1 kHz  
f = 1 kHz  
f = 1 kHz  
f = 1 kHz  
f = 1 kHz  
f = 1 kHz  
f = 1 kHz  
f = 1 kHz  
f = 10 kHz  
f = 1 kHz  
Common Source  
Forward Transmittance  
DS  
D
| Y |  
fs  
V
= 10V, I = 15 mA  
DS  
D
V
= 10V, I = 5 mA  
Common Source  
Output Conductance  
DS  
D
| Y |  
os  
V
= 10V, I = 15 mA  
DS  
D
V
= 10V, I = 5 mA  
Common Source  
Input Capacitance  
DS  
D
C
iss  
V
= 10V, I = 15 mA  
DS  
D
V
= 10V, I = 5 mA  
Common Source Reverse  
Transfer Capacitance  
DS  
D
C
rss  
V
= 10V, I = 15 mA  
DS  
D
5
3
10 nV/√Hz  
V
= 10V, I = 5 mA  
Equivalent Short Circuit  
Input Noise Voltage  
DS  
D
e¯  
N
8
nV/√Hz  
V
= 10V, I = 5 mA  
DS  
D
I = 5 mA  
= 10V,  
D
V
DS  
Noise Figure  
NF  
1.5  
2.5  
dB  
f = 10 Hz  
R = 10 kΩ  
G
TOÐ72 Package  
Dimensions in Inches (mm)  
Pin Configuration  
1 Source, 2 Drain, 3 Gate, 4 Case  
1000 N. Shiloh Road, Garland, TX 75042  
(972) 487-1287 FAX (972) 276-3375  
www.interfet.com  
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