5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 2N6449
2N6449 PDF预览

2N6449

更新时间： 2024-02-20 10:01:02
品牌 Logo 应用领域
INTERFET 晶体晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 93K
描述
N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

2N6449 技术参数

生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.36
外壳连接：GATE配置：SINGLE
FET 技术：JUNCTION最大反馈电容 (Crss)：2.5 pF
JEDEC-95代码：TO-39JESD-30 代码：O-MBCY-W3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：200 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.8 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2N6449 数据手册

  
B-24  
01/99  
2N6449, 2N6450  
N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor  
Absolute maximum ratings at T = 25¡C  
¥ High Voltage  
A
2N6449  
– 300 V  
– 300 V  
10 mA  
2N6450  
– 200 V  
– 200 V  
10 mA  
Reverse Gate Source Voltage  
Reverse Gate Drain Voltage  
Continuous Forward Gate Current  
Continuous Device Power Dissipation  
Power Derating  
800 mW  
800 mW  
6.4 mW/°C 6.4 mW/°C  
At 25°C free air temperature:  
Static Electrical Characteristics  
Gate Source Breakdown Voltage  
2N6449  
2N6450  
Process NJ42  
Test Conditions  
Min Max Min Max Unit  
V
– 300  
– 200  
V
nA  
I = – 10 µA, V = ØV  
G DS  
(BR)GSS  
– 100  
– 100  
V
= – 150V, V = ØV  
GS  
DS  
– 100 nA  
µA  
V
= – 100V, V = ØV  
GS  
DS  
Gate Reverse Current  
I
GSS  
V
= – 150V, V = ØV  
T = 150°C  
GS  
DS  
A
– 100 µA  
V
= – 100V, V = ØV  
T = 150°C  
GS  
DS  
A
Gate Source Cutoff Voltage  
V
– 2 – 15 – 2 – 15  
V
V
= 30V, I = 4 nA  
GS(OFF)  
DS  
D
Drain Saturation Current (Pulsed)  
I
2
10  
2
10  
mA  
V
= 30V, V = ØV  
DSS  
DS  
GS  
Dynamic Electrical Characteristics  
Common Source Forward  
Transfer Admittance  
Y
0.5  
3
0.5  
3
mS  
V
= 30V, V = ØV  
f = 1 kHz  
fs  
DS  
GS  
Common Source Output Conductance  
Common Source Input Capacitance  
Y
100  
20  
100 µS  
V
= 30V, V = ØV  
f = 1 kHz  
f = 1 MHz  
os  
DS  
GS  
C
20  
pF  
V
= 30V, V = ØV  
iss  
DS  
GS  
Common Source  
Reverse Transfer Capacitance  
C
2.5  
2.5  
pF  
V
= 30V, V = ØV  
f = 1 MHz  
rss  
DS  
GS  
TOÐ39 Package  
Dimensions in Inches (mm)  
Pin Configuration  
1 Source, 2 Drain, 3 Gate & Case  
1000 N. Shiloh Road, Garland, TX 75042  
(972) 487-1287 FAX (972) 276-3375  
www.interfet.com  
1

中文翻译

下载PDF

与2N6449相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N6450 NJSEMI

获取价格

 		HIGH VOLTAGE SILICON EPITAXIAL JUNCTION
2N6450 INTERFET

获取价格

 		N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor
2N64-50-9090-A00 3M

获取价格

 		QFN64, IC SOCKET
2N6451 INTERFET

获取价格

 		N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor
2N6451 NJSEMI

获取价格

 		N-CHANNEL JFET
2N6452 INTERFET

获取价格

 		N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor
2N6452 NJSEMI

获取价格

 		N-CHANNEL SILICON JUNCTION FET
2N6453 INTERFET

获取价格

 		N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor
2N6454 INTERFET

获取价格

 		N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor
2N6461 SEME-LAB

获取价格

 		Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package

与2N6449相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证