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2N6449

更新时间： 2024-11-04 12:54:55
品牌 Logo 应用领域
INTERFET 晶体晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 93K
描述
N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor

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2N6449 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.36外壳连接：GATE
配置：SINGLEFET 技术：JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：2.5 pFJEDEC-95代码：TO-39
JESD-30 代码：O-MBCY-W3元件数量：1
端子数量：3工作模式：DEPLETION MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.8 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2N6449 数据手册

  
B-24  
01/99  
2N6449, 2N6450  
N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor  
Absolute maximum ratings at T = 25¡C  
¥ High Voltage  
A
2N6449  
– 300 V  
– 300 V  
10 mA  
2N6450  
– 200 V  
– 200 V  
10 mA  
Reverse Gate Source Voltage  
Reverse Gate Drain Voltage  
Continuous Forward Gate Current  
Continuous Device Power Dissipation  
Power Derating  
800 mW  
800 mW  
6.4 mW/°C 6.4 mW/°C  
At 25°C free air temperature:  
Static Electrical Characteristics  
Gate Source Breakdown Voltage  
2N6449  
2N6450  
Process NJ42  
Test Conditions  
Min Max Min Max Unit  
V
– 300  
– 200  
V
nA  
I = – 10 µA, V = ØV  
G DS  
(BR)GSS  
– 100  
– 100  
V
= – 150V, V = ØV  
GS  
DS  
– 100 nA  
µA  
V
= – 100V, V = ØV  
GS  
DS  
Gate Reverse Current  
I
GSS  
V
= – 150V, V = ØV  
T = 150°C  
GS  
DS  
A
– 100 µA  
V
= – 100V, V = ØV  
T = 150°C  
GS  
DS  
A
Gate Source Cutoff Voltage  
V
– 2 – 15 – 2 – 15  
V
V
= 30V, I = 4 nA  
GS(OFF)  
DS  
D
Drain Saturation Current (Pulsed)  
I
2
10  
2
10  
mA  
V
= 30V, V = ØV  
DSS  
DS  
GS  
Dynamic Electrical Characteristics  
Common Source Forward  
Transfer Admittance  
Y
0.5  
3
0.5  
3
mS  
V
= 30V, V = ØV  
f = 1 kHz  
fs  
DS  
GS  
Common Source Output Conductance  
Common Source Input Capacitance  
Y
100  
20  
100 µS  
V
= 30V, V = ØV  
f = 1 kHz  
f = 1 MHz  
os  
DS  
GS  
C
20  
pF  
V
= 30V, V = ØV  
iss  
DS  
GS  
Common Source  
Reverse Transfer Capacitance  
C
2.5  
2.5  
pF  
V
= 30V, V = ØV  
f = 1 MHz  
rss  
DS  
GS  
TOÐ39 Package  
Dimensions in Inches (mm)  
Pin Configuration  
1 Source, 2 Drain, 3 Gate & Case  
1000 N. Shiloh Road, Garland, TX 75042  
(972) 487-1287 FAX (972) 276-3375  
www.interfet.com  
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