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2N6442

更新时间: 2024-02-18 09:43:22
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其他 - ETC 晶体放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 128K
描述
SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS

2N6442 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:,
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.61
最小直流电流增益 (hFE):120最高工作温度:200 °C
极性/信道类型:NPN子类别:Other Transistors
表面贴装:NOBase Number Matches:1

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