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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2N6437
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2N6437

更新时间： 2024-11-03 23:16:11
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
8页 78K
描述
POWER TRANSISTORS PNP SILICON

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2N6437 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-3包装说明：TO-3, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.12
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：25 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：12
JEDEC-95代码：TO-204AAJESD-30 代码：O-MBFM-P2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：200 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：200 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：PIN/PEG端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：40 MHz
Base Number Matches：1

2N6437 数据手册

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ON Semiconductort  
2N6437  
2N6438  
High-Power PNP Silicon  
Transistors  
*
. . . designed for use in industrial–military power amplifier and  
*ON Semiconductor Preferred Device  
switching circuit applications.  
25 AMPERE  
POWER TRANSISTORS  
PNP SILICON  
• High Collector–Emitter Sustaining Voltage —  
V
= 100 Vdc (Min) — 2N6437  
CEO(sus)  
= 120 Vdc (Min) — 2N6438  
100, 120 VOLTS  
200 WATTS  
• High DC Current Gain —  
= 20–80 @I = 10 Adc  
h
FE  
C
= 12 (Min) @ I = 25 Adc  
C
• Low Collector–Emitter Saturation Voltage —  
= 1.0 Vdc (Max) @ I = 10 Adc  
V
CE(sat)  
C
• Fast Switching Times @ I = 10 Adc  
C
t = 0.3 µs (Max)  
r
t = 1.0 µs (Max)  
t = 0.25 µs (Max)  
f
s
CASE 1–07  
TO–204AA  
(TO–3)  
• Complement to NPN 2N6339 thru 2N6341  
MAXIMUM RATINGS (1)  
Rating  
Collector–Base Voltage  
Collector–Emitter Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
2N6437  
120  
2N6438  
140  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
V
CB  
V
CEO  
100  
120  
V
EB  
6.0  
Collector Current — Continuous  
Peak  
I
C
25  
50  
Base Current  
I
B
10  
Adc  
Total Device Dissipation @ T = 25_C  
P
200  
1.14  
Watts  
C
D
Derate above 25_C  
W/_C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T ,T  
J
–65 to +200  
_C  
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
(1) Indicates JEDEC Registered Data.  
R
0.875  
_C/W  
θ
JC  
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
April, 2001 – Rev. 2  
2N6437/D  
12345678

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2N6437 替代型号

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