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2N6436

更新时间: 2024-11-04 20:32:23
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美高森美 - MICROSEMI /
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1页 71K
描述
Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 80V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,

2N6436 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.19Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):25 A集电极-发射极最大电压:80 V
最小直流电流增益 (hFE):30JEDEC-95代码:TO-3
JESD-30 代码:O-MBFM-P2JESD-609代码:e0
端子数量:2封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2N6436 数据手册

  

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