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| 生命周期： | Active | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.57 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 300 V |
| 配置： | SINGLE | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | PNP |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 50 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6433LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-18, |
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| 2N6436 | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2N6436 | ISC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2N6436 | MOSPEC |
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POWER TRANSISTORS(25A,200W) |
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| 2N6436 | BOCA |
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HIGH-POWER PNP SILICON TRANSISTORS |
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| 2N6436 | SEME-LAB |
获取价格 |
HIGH POWER PNP SILICON TRANSISTORS |
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| 2N6436 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 80V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, |
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| 2N6436 | NJSEMI |
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Trans GP BJT PNP 80V 25A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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| 2N6436E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 80V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, |
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| 2N6437 | MOSPEC |
获取价格 |
POWER TRANSISTORS(25A,200W) |
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