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2N6430LEADFREE

更新时间： 2024-11-04 20:45:31
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 900K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18,

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2N6430LEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.37
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：200 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：50
JEDEC-95代码：TO-18JESD-30 代码：O-MBCY-W3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN (315)端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHzBase Number Matches：1

2N6430LEADFREE 数据手册

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2N6430 2N6431 NPN  
2N6432 2N6433 PNP  
www.centralsemi.com  
COMPLEMENTARY  
SILICON TRANSISTORS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N6430 series  
devices are complementary small signal silicon  
transistors manufactured by the epitaxial planar  
process, designed for high voltage amplifier applications.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
TO-18 CASE  
2N6430  
2N6432  
200  
2N6431  
2N6433  
300  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
Collector-Base Voltage  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
V
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
EBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage (NPN)  
Emitter-Base Voltage (PNP)  
Continuous Collector Current  
200  
300  
V
V
6.0  
5.0  
V
I
100  
1.8  
500  
mA  
W
C
Power Dissipation (T =25°C)  
C
Power Dissipation  
P
D
D
P
mW  
°C  
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T , T  
-65 to +200  
0.35  
J
stg  
Θ
°C/mW  
°C/W  
JA  
JC  
Thermal Resistance  
Θ
97.2  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
2N6430  
2N6431  
2N6432  
2N6433  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
-
MAX  
100  
MIN  
-
MAX  
250  
UNITS  
nA  
I
I
I
I
V
V
V
V
=160V (2N6430, 2N6432)  
=200V (2N6431, 2N6433)  
=4.0V  
CBO  
CBO  
EBO  
EBO  
CB  
CB  
EB  
EB  
-
-
100  
-
250  
nA  
nA  
nA  
V
100  
-
-
=3.0V  
-
-
-
100  
BV  
BV  
BV  
BV  
BV  
I =100μA (2N6430, 2N6432)  
200  
300  
200  
300  
6.0  
-
-
200  
300  
200  
300  
5.0  
-
-
CBO  
CBO  
CEO  
CEO  
EBO  
C
I =100μA (2N6431, 2N6433)  
-
-
V
C
I =1.0mA (2N6430, 2N6432)  
-
-
-
-
V
C
I =1.0mA (2N6431, 2N6433)  
V
C
I =100μA  
-
-
V
E
V
V
I =20mA, I =2.0mA  
0.5  
0.9  
-
0.5  
0.9  
-
V
CE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
B
I =20mA, I =2.0mA  
-
-
V
C
B
h
h
h
V
=10V, I =1.0mA  
25  
40  
50  
25  
40  
30  
CE  
CE  
CE  
C
V
V
=10V, I =10mA  
-
-
FE  
C
=10V, I =30mA  
200  
150  
FE  
C
R1 (26-July 2013)  
1234

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