是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.21.00.95 |
风险等级: | 5.45 | 最大集电极电流 (IC): | 0.5 A |
基于收集器的最大容量: | 6 pF | 集电极-发射极最大电压: | 200 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 30 |
JEDEC-95代码: | TO-18 | JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 200 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | PNP |
功耗环境最大值: | 0.5 W | 最大功率耗散 (Abs): | 1.8 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 50 MHz |
VCEsat-Max: | 0.5 V |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N6432LEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-18, | |
2N6433 | CENTRAL |
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Small Signal Transistors | |
2N6433 | NJSEMI |
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Trans GP BJT PNP 300V 0.1A 3-Pin TO-18 Box | |
2N6433LEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-18, | |
2N6436 | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors | |
2N6436 | ISC |
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Silicon PNP Power Transistors | |
2N6436 | MOSPEC |
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POWER TRANSISTORS(25A,200W) | |
2N6436 | BOCA |
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HIGH-POWER PNP SILICON TRANSISTORS | |
2N6436 | SEME-LAB |
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HIGH POWER PNP SILICON TRANSISTORS | |
2N6436 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 80V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, |