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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2N6428ABU
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2N6428ABU

更新时间： 2024-10-02 13:04:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号双极晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
3页 92K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, LEAD FREE PACKAGE-3

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2N6428ABU 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.74最大集电极电流 (IC)：0.2 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：250JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.625 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

2N6428ABU 数据手册

 浏览型号2N6428ABU的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2N6428ABU的Datasheet PDF文件第3页 
December 2006  
2N6428A  
tm  
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Features  
•
This device is designed for high gain, general purpose  
amplifier applications at collector currents from 1uA to 200 mA.  
TO92  
1
2 3  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
Absolute Maximum Ratings *  
T = 25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
V
VCBO  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
60  
50  
VCEO  
VEBO  
IC  
V
5
V
Collector Current - Continuous  
Total Device Dissipation  
200  
mA  
mW  
°C  
PD  
625  
TJ  
Junction Temperature  
150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
- 55 ~ 150  
°C  
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations  
Electrical Characteristics*  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
ICBO  
Parameter  
Conditions  
Min.  
60  
Max.  
Units  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
IC = 100µA, IE = 0  
V
V
IC = 1mA, IB = 0  
IE = 100µA, IC = 0  
VCB = 30V, IE = 0  
VBE = 5V, IC = 0  
50  
5
V
10  
10  
nA  
nA  
IEBO  
Emitter Cut-off Current  
hFE  
DC Current Gain  
VCE = 5V, IC = 0.01mA  
VCE = 5V, IC = 0.1mA  
VCE = 5V, IC = 1.0mA  
VCE = 5V, IC = 10mA  
250  
250  
250  
250  
650  
650  
VCE (sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
IC = 10mA, IB = 0.5mA  
IC = 100mA, IB = 5.0mA  
0.2  
0.6  
V
V
VBE (on)  
fT  
Base-Emitter On Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
VCE = 5V, IC = 1.0mA  
0.56  
100  
0.66  
700  
3
V
IC = 1mA, VCE = 5.0V, f = 100MHz  
VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz  
MHz  
pF  
Cob  
* DC Item are tested by Pulse Test: Pulse Width≤300us, Duty Cycle≤2%  
©2006 Fairchild Semiconductor Corporation  
2N6428A Rev. A  
1
www.fairchildsemi.com  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N6428AD26Z FAIRCHILD

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 		TRANSISTOR 200 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Smal
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