5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 2N6057LEADFREE
2N6057LEADFREE PDF预览

2N6057LEADFREE

更新时间： 2024-11-12 14:46:19
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 489K
描述
Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

2N6057LEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-204AA
包装说明：TO-3, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.07
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：12 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：750JEDEC-95代码：TO-3
JESD-30 代码：O-MBFM-P2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN (315)
端子形式：PIN/PEG端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：4 MHzBase Number Matches：1

2N6057LEADFREE 数据手册

 浏览型号2N6057LEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
2N6050 2N6051 2N6052  
2N6057 2N6058 2N6059  
PNP  
NPN  
www.centralsemi.com  
COMPLEMENTARY SILICON  
DARLINGTON POWER  
TRANSISTORS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N6050, 2N6057  
series types are complementary silicon Darlington  
power transistors, manufactured by the epitaxial base  
process, designed for high gain amplifier and switching  
applications.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
TO-3 CASE  
2N6050  
2N6057  
60  
2N6051  
2N6058  
80  
80  
5.0  
12  
20  
0.2  
150  
2N6052  
2N6059  
100  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Continuous Collector Current  
Peak Collector Current  
Continuous Base Current  
Power Dissipation  
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
SYMBOL  
UNITS  
V
V
V
A
A
A
W
°C  
°C/W  
C
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
60  
100  
I
C
I
CM  
I
P
B
D
T , T  
-65 to +200  
1.17  
J
stg  
JC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
UNITS  
I
I
I
I
V
V
V
V
=Rated V  
=Rated V  
=½Rated V  
=5.0V  
, V =1.5V  
0.5  
mA  
CEV  
CEV  
CEO  
EBO  
CE  
CE  
CE  
EB  
CEO EB  
, V =1.5V, T =150°C  
CEO EB  
5.0  
1.0  
2.0  
mA  
mA  
mA  
V
C
CEO  
BV  
BV  
BV  
I =100mA, (2N6050, 2N6057)  
60  
80  
CEO  
CEO  
C
I =100mA, (2N6051, 2N6058)  
V
C
I =100mA, (2N6052, 2N6059)  
100  
V
CEO  
C
V
V
V
V
I =6.0A, I =24mA  
2.0  
3.0  
4.0  
2.8  
18K  
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(ON)  
FE  
C
B
I =12A, I =120mA  
V
C
B
I =12A, I =120mA  
V
C
B
V
=3.0V, I =6.0A  
V
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
CB  
C
h
h
h
V
V
V
V
V
V
=3.0V, I =6.0A  
750  
100  
300  
4.0  
C
=3.0V, I =12A  
FE  
C
=3.0V, I =5.0A, f=1.0kHz  
fe  
C
f
=3.0V, I =5.0A, f=1.0MHz  
MHz  
pF  
T
C
C
=10V, I =0, f=100kHz (PNP types)  
500  
300  
ob  
ob  
E
C
=10V, I =0, f=100kHz (NPN types)  
pF  
E
R1 (18-September 2012)  
12

中文翻译

下载PDF

与2N6057LEADFREE相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N6058 SEME-LAB

获取价格

 		Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3
2N6058 COMSET

获取价格

 		POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS
2N6058 JMNIC

获取价格

 		Silicon NPN Power Transistors
2N6058 ISC

获取价格

 		Silicon NPN Power Transistors
2N6058 MOSPEC

获取价格

 		POWER TRANSISTORS(12A,150W)
2N6058 BOCA

获取价格

 		DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON-POWER TRANSISTORS
2N6058 MICROSEMI

获取价格

 		NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
2N6058 ONSEMI

获取价格

 		Darlington Complementary Silicon Power Transistors
2N6058 NJSEMI

获取价格

 		COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
2N6058 SAVANTIC

获取价格

 		Silicon NPN Power Transistors

与2N6057LEADFREE相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证