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2N6058

更新时间: 2024-02-06 16:09:45
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页数 文件大小 规格书
3页 43K
描述
Silicon NPN Power Transistors

2N6058 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-204AA
包装说明:TO-3, 2 PIN针数:2
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.06
Is Samacsys:N外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):12 A集电极-发射极最大电压:80 V
配置:DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE):750
JEDEC-95代码:TO-3JESD-30 代码:O-MBFM-P2
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:MATTE TIN (315)端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:10
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):4 MHz
Base Number Matches:1

2N6058 数据手册

 浏览型号2N6058的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2N6058的Datasheet PDF文件第3页 
Product Specification  
www.jmnic.com  
Silicon NPN Power Transistors  
2N6058/2N6059  
DESCRIPTION  
·With TO-3 package  
·High gain  
·High current  
·High dissipation  
·Complement to type 2N5883/2N5884  
APPLICATIONS  
·They are intended for use in power linear  
and low frequency switching applications  
PINNING  
PIN  
DESCRIPTION  
1
Base  
2
3
Emitter  
Collector  
Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol  
Absolute maximum ratings(Ta=)  
SYMBOL  
PARAMETER  
CONDITIONS  
Open emitter  
VALUE  
UNIT  
2N6058  
2N6059  
2N6058  
2N6059  
80  
Collector-base  
VCBO  
V
voltage  
100  
80  
Collector-emitter  
voltage  
VCEO  
Open base  
V
100  
5
VEBO  
IC  
ICM  
IB  
Emitter-base voltage  
Collector current  
Open collector  
V
A
12  
Collector current-peak  
Base current  
20  
A
0.2  
mA  
W
PD  
Tj  
Total Power Dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
TC=25  
150  
200  
-65~200  
Tstg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
PARAMETER  
VALUE  
UNIT  
Rth j-c  
Thermal resistance junction to case  
1.17  
/W  
JMnic  

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