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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.56 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 12 A | 配置： | DARLINGTON |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 750 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 标称过渡频率 (fT)： | 4 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6059_03 | STMICROELECTRONICS |
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SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTOR |
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| 2N6059_10 | SEME-LAB |
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SILICON MULTI-EPITAXIAL NPN TRANSISTOR |
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| 2N6059LEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| 2N6060 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-63, Metal, |
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| 2N6060E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-63, Metal, |
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| 2N6061 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-63, Metal, |
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| 2N6061E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-63, Metal, |
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| 2N6062 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 60A I(C) | TO-210AE |
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| 2N6063 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 60A I(C) | TO-210AE |
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| 2N6063E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-63, Metal, |
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