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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-3 |
| 包装说明： | TO-3, 2 PIN | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.12 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 12 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JEDEC-95代码： | TO-204AA |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 4 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2N6050 | CENTRAL |
功能相似  |
12A,60V Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) PNP Darlington |
|
| 2N6052G | ONSEMI |
功能相似 |
Darlington Complementary Silicon Power Transistors |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6052/D | ETC |
获取价格 |
Darlington Complementary Silicon Power Transistors |
|
| 2N6052_06 | ONSEMI |
获取价格 |
Darlington Complementary Silicon Power Transistors |
|
| 2N6052E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 12A I(C), PNP |
|
| 2N6052G | ONSEMI |
获取价格 |
Darlington Complementary Silicon Power Transistors |
|
| 2N6052G | NJSEMI |
获取价格 |
Trans Darlington PNP 100V 12A 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray |
|
| 2N6052LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
|
| 2N6053 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 |
|
| 2N6053 | NJSEMI |
获取价格 |
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
|
| 2N6053 | MOSPEC |
获取价格 |
POWER TRANSISTORS(8A,100W) |
|
| 2N6053 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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