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2N6050

更新时间： 2024-11-05 17:00:39
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CENTRAL /
页数 文件大小 规格书
18页 1482K
描述
12A,60V Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) PNP Darlington

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2N6050 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-204AA
包装说明：TO-3, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.2
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：12 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：750
JEDEC-95代码：TO-3JESD-30 代码：O-MBFM-P2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：200 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：150 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：PIN/PEG端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：4 MHzBase Number Matches：1

2N6050 数据手册

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2N6050  
2N6051  
2N6052  
www.centralsemi.com  
PNP SILICON  
DARLINGTON POWER  
TRANSISTORS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N6050 series  
devices are PNP silicon Darlington power transistors,  
manufactured by the epitaxial base process, designed  
for high gain amplifier and switching applications.  
Complementary NPN devices: 2N6057, 2N6058,  
2N6059.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
TO-3 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
Collector-Base Voltage  
SYMBOL  
2N6050  
60  
2N6051  
2N6052  
100  
UNITS  
V
C
V
V
V
80  
CBO  
CEO  
EBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
60  
80  
5.0  
100  
V
V
Continuous Collector Current  
Peak Collector Current  
I
12  
A
C
I
20  
A
CM  
Continuous Base Current  
Power Dissipation  
I
0.2  
A
B
P
150  
W
D
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T , T  
-65 to +200  
1.17  
°C  
°C/W  
J
stg  
JC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
UNITS  
I
I
I
I
V
V
V
V
=Rated V  
=Rated V  
=½Rated V  
=5.0V  
, V =1.5V  
0.5  
mA  
CEV  
CEV  
CEO  
EBO  
CE  
CE  
CE  
EB  
CEO EB  
, V =1.5V, T =150°C  
CEO EB  
5.0  
1.0  
2.0  
mA  
mA  
mA  
V
C
CEO  
BV  
BV  
BV  
I =100mA, (2N6050)  
60  
80  
CEO  
CEO  
C
I =100mA, (2N6051)  
V
C
I =100mA, (2N6052)  
100  
V
CEO  
C
V
V
V
V
I =6.0A, I =24mA  
2.0  
3.0  
4.0  
2.8  
18K  
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(ON)  
FE  
C
B
I =12A, I =120mA  
V
C
B
I =12A, I =120mA  
V
C
B
V
=3.0V, I =6.0A  
V
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
C
h
h
h
V
V
V
V
V
=3.0V, I =6.0A  
750  
100  
300  
4.0  
C
=3.0V, I =12A  
FE  
C
=3.0V, I =5.0A, f=1.0kHz  
fe  
C
f
=3.0V, I =5.0A, f=1.0MHz  
MHz  
pF  
T
C
C
=10V, I =0, f=100kHz  
500  
ob  
E
R2 (28-October 2021)  
1234567...18

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2N6050 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2N6051 CENTRAL

类似代替

 12A,80V Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) PNP Darlington
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 Darlington Complementary Silicon Power Transistors

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2N6050_12 COMSET

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2N6051 SEME-LAB

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 		PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
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 		12A,80V Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) PNP Darlington
2N6051E3 MICROSEMI

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 		Power Bipolar Transistor, 12A I(C), PNP

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