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2N6053

更新时间： 2024-01-25 03:52:31

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3页	159K
描述
COMPLEMENTARY POWER DARLINGTON

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2N6053 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.71
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	8 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	750	JEDEC-95代码：	TO-204AA
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	4 MHz	Base Number Matches：	1

2N6053 数据手册

2N6053 PNP

2N6055 NPN

COMPLEMENTARY POWER DARLINGTON

The 2N6053 is a silicon epitaxial base PNP transistor in monolithic Darlington configuration

and are mounted in Jedec TO-3 metal case.

They are intended for use in power linear and switching applications.

The complementary NPN type is the 2N6055

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Ratings

Value

Unit

2N6053

2N6055

#Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

I_B=0

V_CEO

2N6053

I_E=0

V_CBO

V_EBO

5.0

8.0

2N6055

2N6053

2N6055

2N6053

Continuous

Peak

2N6055

Collector Current

I_C

2N6053

2N6055

2N6053

2N6055

Base Current

I_B

120

100

2N6053

2N6055

Total Dissipation

@ T_C= 25°

P_TOT

Watts

2N6053

2N6055

Junction Temperature

Storage Temperature

T_J

T_S

200

°C

2N6053

-65 to +200

2N6055

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol

Ratings

Value

1.75

Unit

°C/W

2N6053

2N6055

Thermal Resistance, Junction to Case

R_thJC

2N6053 PNP

COMSET SEMICONDUCTORS

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