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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.64 | 最大集电极电流 (IC)： | 8 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | DARLINGTON |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JEDEC-95代码： | TO-3 |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 4 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N6056/D | ETC | NPN Darlington Silicon Power Transistor |
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| 2N6056LEADFREE | CENTRAL | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 P |
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| 2N6057 | BOCA | DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON-POWER TRANSISTORS |
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| 2N6057 | COMSET | POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS |
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| 2N6057 | SEME-LAB | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 |
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| 2N6057 | MOSPEC | POWER TRANSISTORS(12A,150W) |
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