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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.13 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 12 A | 配置： | DARLINGTON |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 1000 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6052G | ONSEMI |
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Darlington Complementary Silicon Power Transistors |
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| 2N6052G | NJSEMI |
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Trans Darlington PNP 100V 12A 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray |
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| 2N6052LEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| 2N6053 | SEME-LAB |
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Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 |
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| 2N6053 | NJSEMI |
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COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
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| 2N6053 | MOSPEC |
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POWER TRANSISTORS(8A,100W) |
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| 2N6053 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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| 2N6053 | COMSET |
获取价格 |
COMPLEMENTARY POWER DARLINGTON |
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| 2N6053 | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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| 2N6053 | CENTRAL |
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8A,60V Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) PNP Darlington |
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