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2N6036

更新时间: 2024-01-05 15:13:16
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管达林顿晶体管放大器局域网
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6页 89K
描述
COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

2N6036 技术参数

是否无铅: 不含铅生命周期:Active
零件包装代码:TO-225AA包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
Factory Lead Time:2 weeks风险等级:0.87
Samacsys Description:ON SEMICONDUCTOR - 2N6036G - TRANSISTOR, PNP, -80V, -4A, TO-225最大集电极电流 (IC):4 A
集电极-发射极最大电压:80 V配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):100JEDEC-95代码:TO-225AA
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):1.5 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):25 MHz

2N6036 数据手册

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2N6036/2N6039  
Base-Emitter On Voltage (NPN type)  
Base-Emitter On Voltage (PNP type)  
Freewheel Diode Forward Voltage (NPN type)  
Freewheel Diode Forward Voltage (PNP type)  
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