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2N6036

更新时间： 2024-02-01 09:37:37

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管达林顿晶体管放大器局域网
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COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

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2N6036 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-225AA	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
Factory Lead Time：	2 weeks	风险等级：	0.87
Samacsys Description：	ON SEMICONDUCTOR - 2N6036G - TRANSISTOR, PNP, -80V, -4A, TO-225	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JEDEC-95代码：	TO-225AA
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	25 MHz

2N6036 数据手册

2N6036/2N6039

SOT-32 (TO-126) MECHANICAL DATA

inch

TYP.

DIM.

MIN.

7.4

TYP.

MAX.

7.8

MIN.

0.291

0.413

0.028

0.019

0.040

0.039

0.606

MAX.

0.307

0.445

0.035

0.030

0.106

0.050

0.629

10.5

0.7

10.8

0.9

0.49

2.4

0.75

2.7

1.0

1.3

15.4

16.0

2.2

3.8

0.087

0.150

4.15

4.65

0.163

0.118

0.183

3.2

0.126

0.100

2.54

2.15

0.084

0016114

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