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2N6036

更新时间： 2024-01-22 14:10:30

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管达林顿晶体管放大器局域网
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COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

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2N6036 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-225AA	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
Factory Lead Time：	2 weeks	风险等级：	0.87
Samacsys Description：	ON SEMICONDUCTOR - 2N6036G - TRANSISTOR, PNP, -80V, -4A, TO-225	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JEDEC-95代码：	TO-225AA
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	25 MHz

2N6036 数据手册

2N6036/2N6039

THERMAL DATA

R_thj-caseThermal Resistance Junction-case

R_thj-ambThermal Resistance Junction-ambient

Max

3.12

83.3

^oC/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_case= 25 ^oC unless otherwise specified)

Symbol

Parameter

Test Conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

I_CEX

Collector Cut-off

Current (V_BE= -1.5V)

V_CE= rated V_CEO

0.1

0.5

V_CE= rated V_CEOT_c= 125 ^oC

V_CE= rated V_CBO

I_CBO

I_CEO

I_EBO

Collector Cut-off

Current (I_E= 0)

0.1

Collector Cut-off

Current (I_B= 0)

V_CE= rated V_CEO

Emitter Cut-off Current V_EB= 5 V

(I_C= 0)

V_CEO(sus)Collector-Emitter

Sustaining Voltage

I_C= 100 mA

V_CE(sat)

Collector-Emitter

Saturation Voltage

I_C= 2 A

I_C= 4 A

I_B= 8 mA

I_B= 40 mA

V_BE(sat)

Base-Emitter

I_C= 4 A

I_B= 40 mA

Saturation Voltage

V_BE

h_FE

Base-Emitter Voltage

DC Current Gain

I_C= 2 A

V_CE= 3 V

2.8

I_C= 0.5 A

I_C= 2 A

I_C= 4 A

V_CE= 3 V

500

750

100

15000

h_fe

Small Signal Current

Gain

I_C= 0.75 A V_CE= 10 V

f = 1KHz

f = 1MHz

C_CBO

Collector Base

Capacitance

I_E= 0 V_CB= 10 V

for NPN types

for PNP types

100

200

Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5 %

Safe Operating Area

Derating Curve

2/6

123 4 5 6

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