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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2N6034G
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2N6034G

更新时间： 2024-02-22 19:23:34
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管放大器PC局域网
页数 文件大小 规格书
6页 86K
描述
Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors

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2N6034G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.17最大集电极电流 (IC)：4 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：100JEDEC-95代码：TO-126
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN (315)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：25 MHz
Base Number Matches：1

2N6034G 数据手册

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(PNP) 2N6034, 2N6035, 2N6036; (NPN) 2N6038, 2N6039  
ACTIVE−REGION SAFE−OPERATING AREA  
1.0  
7.0  
1.0  
7.0  
100 ms  
100 ms  
5.0ꢁms  
5.0ꢁms  
1.0ꢁms  
5.0  
5.0  
1.0ꢁms  
3.0  
2.0  
3.0  
2.0  
dc  
dc  
T = 150°C  
BONDING WIRE LIMITED  
T = 150°C  
J
J
1.0  
0.7  
1.0  
0.7  
0.5  
BONDING WIRE LIMITED  
THERMALLY LIMITED  
THERMALLY LIMITED  
0.5  
@ T = 25°C (SINGLE PULSE)  
C
SECOND BREAKDOWN LIMITED  
@ T = 25°C (SINGLE PULSE)  
C
SECOND BREAKDOWN LIMITED  
0.3  
0.2  
0.3  
0.2  
2N6036  
2N6035  
2N6039  
2N6038  
0.1  
5.0  
0.1  
5.0  
7.0  
10  
20  
30  
50  
70  
100  
7.0  
10  
20  
30  
50  
70  
100  
V
CE  
, COLLECTOR−EMITTER VOLTAGE (VOLTS)  
V
CE  
, COLLECTOR−EMITTER VOLTAGE (VOLTS)  
Figure 4. 2N6035, 2N6036  
Figure 5. 2N6038, 2N6039  
200  
There are two limitations on the power handling ability of  
a transistor: average junction temperature and second  
breakdown. Safe operating area curves indicate I − V  
limits of the transistor that must be observed for reliable  
operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater  
dissipation than the curves indicate.  
T = 25°C  
C
C
CE  
100  
70  
50  
The data of Figures 4 and 5 is based on T  
T is variable depending on conditions. Second breakdown  
C
= 150_C;  
J(pk)  
C
ob  
30  
20  
C
ib  
pulse limits are valid for duty cycles to 10% provided T  
J(pk)  
< 150_C. T  
may be calculated from the data in Figure 3.  
J(pk)  
At high case temperatures, thermal limitations will reduce  
the power that can be handled to values less than the  
limitations imposed by second breakdown.  
PNP  
NPN  
10  
0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0  
2.0 4.0 6.0 10  
20  
40  
V , REVERSE VOLTAGE (VOLTS)  
R
Figure 6. Capacitance  
PNP  
NPN  
2N6034, 2N6035, 2N6036  
2N6038, 2N6039  
6.0 k  
6.0 k  
V
CE  
= 3.0 V  
V
CE  
= 3.0 V  
T = 125°C  
C
T = 125°C  
J
4.0 k  
3.0 k  
4.0 k  
3.0 k  
25°C  
25°C  
2.0 k  
2.0 k  
−ꢂ55°C  
−ꢂ55°C  
1.0 k  
800  
1.0 k  
800  
600  
600  
400  
300  
0.04 0.06  
400  
300  
0.04 0.06  
0.1  
0.2  
0.4 0.6  
1.0  
2.0  
4.0  
0.1  
0.2  
0.4 0.6  
1.0  
2.0  
4.0  
I , COLLECTOR CURRENT (AMP)  
C
I , COLLECTOR CURRENT (AMP)  
C
Figure 7. DC Current Gain  
http://onsemi.com  
4
 
123456

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2N6034LEADFREE CENTRAL Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/

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