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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.85 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 | JEDEC-95代码： | TO-3 |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 4 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N587 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-5 |
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| 2N5870 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
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| 2N5870 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5870 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5871 | NJSEMI |
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COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
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| 2N5871 | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2N5871 | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2N5871 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
|
| 2N5871 | ASI |
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Transistor |
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| 2N5871 | APITECH |
获取价格 |
Transistor |
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