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2N5870

更新时间： 2024-01-22 17:34:10

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SAVANTIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	112K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N5870 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	最大集电极电流 (IC)：	5 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	200 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	87 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	标称过渡频率 (fT)：	4 MHz

2N5870 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N5869 2N5870

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·Low collector saturation voltage

APPLICATIONS

·For medium-speed switching and

amplifier applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=ꢀ )

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

UNIT

2N5869

2N5870

2N5869

2N5870

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

ꢀ

P_D

T_j

Total Power Dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25ꢀ

87.5

150

-65~200

T_stg

ꢀ

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance junction to case

1.17

ꢀ/W

12 3

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