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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.44 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 7 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 | JEDEC-95代码： | TO-3 |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | JESD-609代码： | e0 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5874E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 80V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL C |
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| 2N5875 | ASI |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 P |
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| 2N5875 | MICROSEMI |
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暂无描述 |
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| 2N5875 | SEME-LAB |
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Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 |
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| 2N5875 | ISC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2N5875 | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2N5875 | MOSPEC |
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POWER TRANSISTORS(10A,150W) |
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| 2N5875 | NJSEMI |
获取价格 |
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
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| 2N5875 | CENTRAL |
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60V,10A,150W Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) PNP General Purpose Amplifier/Swi |
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| 2N5875T | NJSEMI |
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Trans GP BJT PNP 60V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-3 Sleeve |
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