5秒后页面跳转
2N587 PDF预览

2N587

更新时间: 2024-01-29 06:45:06
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 55K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-5

2N587 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.6
最大集电极电流 (IC):0.2 A配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):20极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.15 W子类别:Other Transistors
表面贴装:NOBase Number Matches:1

2N587 数据手册

  
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003  

与2N587相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2N5870 SEME-LAB Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package

获取价格

2N5870 ISC Silicon NPN Power Transistors

获取价格

2N5870 SAVANTIC Silicon NPN Power Transistors

获取价格

2N5871 NJSEMI COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

获取价格

2N5871 SAVANTIC Silicon PNP Power Transistors

获取价格

2N5871 ISC Silicon PNP Power Transistors

获取价格