5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.59 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 7 A |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 100 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 标称过渡频率 (fT)： | 4 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5874E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 80V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL C |
|
| 2N5875 | ASI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 P |
|
| 2N5875 | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2N5875 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 |
|
| 2N5875 | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2N5875 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2N5875 | MOSPEC |
获取价格 |
POWER TRANSISTORS(10A,150W) |
|
| 2N5875 | NJSEMI |
获取价格 |
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
|
| 2N5875 | CENTRAL |
获取价格 |
60V,10A,150W Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) PNP General Purpose Amplifier/Swi |
|
| 2N5875T | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 60V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-3 Sleeve |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
