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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.18 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 7 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 | JEDEC-95代码： | TO-3 |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | JESD-609代码： | e0 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| MJE210 | MOTOROLA |
功能相似  |
5 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 25 VOLTS 15 WATTS |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5873 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5873 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5873 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
|
| 2N5873 | NJSEMI |
获取价格 |
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
|
| 2N5873 | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 2N5873 | ASI |
获取价格 |
Transistor |
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| 2N5873E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 P |
|
| 2N5874 | ASI |
获取价格 |
Transistor |
|
| 2N5874 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 80V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL C |
|
| 2N5874 | NJSEMI |
获取价格 |
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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