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2N5872

更新时间: 2024-02-02 02:18:44
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美高森美 - MICROSEMI /
页数 文件大小 规格书
1页 118K
描述
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 80V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,

2N5872 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.72
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):7 A
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):10
JEDEC-95代码:TO-3JESD-30 代码:O-MBFM-P2
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:PIN/PEG端子位置:BOTTOM
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):4 MHz
Base Number Matches:1

2N5872 数据手册

  
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer  

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