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2N5873

更新时间： 2024-02-01 17:16:28

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SAVANTIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	111K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N5873 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.6
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	7 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	20
最高工作温度：	200 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	100 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	标称过渡频率 (fT)：	4 MHz
Base Number Matches：	1

2N5873 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N5873 2N5874

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·Low collector saturation voltage

APPLICATIONS

·For medium-speed switching and

amplifier applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=ꢀ )

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

UNIT

2N5873

2N5874

2N5873

2N5874

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

ꢀ

P_D

T_j

Total Power Dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25ꢀ

115

150

-65~200

T_stg

ꢀ

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance junction to case

1.17

ꢀ/W

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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