5秒后页面跳转
2N5871E3 PDF预览

2N5871E3

更新时间: 2024-11-21 07:40:15
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 79K
描述
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 60V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,

2N5871E3 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.21最大集电极电流 (IC):7 A
集电极-发射极最大电压:60 V最小直流电流增益 (hFE):20
JEDEC-95代码:TO-3JESD-30 代码:O-MBFM-P2
端子数量:2封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:PNP表面贴装:NO
端子形式:PIN/PEG端子位置:BOTTOM
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2N5871E3 数据手册

  

与2N5871E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N5872 SEME-LAB

获取价格

Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package
2N5872 ISC

获取价格

Silicon PNP Power Transistors
2N5872 SAVANTIC

获取价格

Silicon PNP Power Transistors
2N5872 MICROSEMI

获取价格

Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 80V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,
2N5872 ASI

获取价格

Transistor
2N5872 NJSEMI

获取价格

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
2N5873 ISC

获取价格

Silicon NPN Power Transistors
2N5873 SAVANTIC

获取价格

Silicon NPN Power Transistors
2N5873 SEME-LAB

获取价格

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package
2N5873 NJSEMI

获取价格

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS