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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-92 |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 6.78 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.6 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 160 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.35 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2N5551TF | FAIRCHILD |
完全替代  |
NPN General-Purpose Amplifier |
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| 2N5551RLRPG | ONSEMI |
类似代替 |
Amplifier Transistors NPN Silicon |
|
| 2N5551TA | FAIRCHILD |
类似代替 |
NPN General Purpose Amplifier |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5551TFR-Y | ONSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor |
|
| 2N5551TF-Y | ONSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor |
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| 2N5551TRB | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
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| 2N5551TRC | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
|
| 2N5551TRD | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
|
| 2N5551TRE | CENTRAL |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 2N5551TRELEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
|
| 2N5551TRF | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
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| 2N5551TRG | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
|
| 2N5551TRH | CENTRAL |
获取价格 |
暂无描述 |
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