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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2N5551TA
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2N5551TA

更新时间： 2024-09-14 23:16:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 501K
描述
NPN General Purpose Amplifier

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2N5551TA 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：2.73
最大集电极电流 (IC)：0.6 A集电极-发射极最大电压：160 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：30
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

2N5551TA 数据手册

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MMBT5551  
2N5551  
C
E
TO-92  
C
B
B
SOT-23  
Mark: 3S  
E
NPN General Purpose Amplifier  
This device is designed for general purpose high voltage amplifiers  
and gas discharge display driving. Sourced from Process 16.  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
160  
180  
V
V
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
6.0  
V
Collector Current - Continuous  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
600  
mA  
°C  
-55 to +150  
TJ, Tstg  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Thermal Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Characteristic  
Max  
Units  
2N5551  
*MMBT5551  
PD  
Total Device Dissipation  
Derate above 25 C  
625  
5.0  
350  
2.8  
mW  
mW/ C  
°
°
Thermal Resistance, Junction to Case  
83.3  
Rθ  
C/W  
°
JC  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
200  
357  
Rθ  
C/W  
°
JA  
*Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."  
2N5551/MMBT5551 Rev A  
2000 Fairchild Semiconductor International  
1234567...12

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2N5551TA 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2N5551CTA FAIRCHILD

完全替代

 Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
2N5551CYTA FAIRCHILD

完全替代

 Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
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 		Small Signal Bipolar Transistor, 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,

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