2N5551CTA

更新时间： 2024-09-15 13:04:03

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	208K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, LEAD FREE PACKAGE-3

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2N5551CTA 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	LEAD FREE PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.32
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	集电极-发射极最大电压：	160 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.625 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

2N5551CTA 数据手册

April 2006

2N5551- MMBT5551

NPN General Purpose Amplifier

Features

•

This device is designed for general purpose high voltage amplifiers and gas discharge display drivers.

Suffix “-C” means Center Collector in 2N5551 (1. Emitter 2. Collector 3. Base)

Suffix “-Y” means h_FE180~240 in 2N5551 (Test condition : I = 10mA, V = 5.0V)

MMBT5551

2N5551

TO-92

SOT-23

Marking: 3S

1. Base 2. Emitter 3. Collector

Absolute Maximum Ratings *

T = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

160

Units

V_CEO

Collector-Emitter Voltage

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

180

6.0

Collector current - Continuous

Junction and Storage Temperature

600

°C

T_J, T_stg

-55 ~ +150

* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

NOTES:

1. These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.

2. These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.

Thermal Characteristics T =25°C unless otherwise noted

Max

Symbol

Parameter

Units

2N5551

*MMBT5551

P_D

Total Device Dissipation

Derate above 25°C

625

5.0

350

2.8

mW/°C

R_θJA

Thermal Resistance, Junction to Case

Thermal Resistance, Junction to Ambient

83.3

200

°C/W

357

* Device mounted on FR-4 PCB 1.6" × 1.6" × 0.06."

2N5551- MMBT5551 Rev. B

www.fairchildsemi.com

12 3 4 5

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2N5551CTA 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2N5551RL1G	ONSEMI	完全替代	Amplifier Transistors NPN Silicon
2N5551TA	FAIRCHILD	完全替代	NPN General Purpose Amplifier
2N5551CBU	FAIRCHILD	类似代替	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,

与2N5551CTA相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N5551CYTA	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
2N5551DCSM	SEME-LAB	获取价格	Dual Bipolar NPN Devices in a hermetically sealed
2N5551G	ONSEMI	获取价格	Amplifier Transistors
2N5551G-A-T92-B	UTC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
2N5551G-A-T92-K	UTC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
2N5551G-x-251	BWTECH	获取价格	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
2N5551G-x-AB3-R	BWTECH	获取价格	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
2N5551G-X-AB3-R	UTC	获取价格	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
2N5551G-X-T92-A-B	UTC	获取价格	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
2N5551G-X-T92-A-K	UTC	获取价格	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR

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