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2N5552E3

更新时间: 2024-11-10 06:09:03
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美高森美 - MICROSEMI 晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 61K
描述
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin,

2N5552E3 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.77
最大集电极电流 (IC):10 A集电极-发射极最大电压:80 V
最小直流电流增益 (hFE):50JEDEC-95代码:TO-5
JESD-30 代码:O-MBCY-W3端子数量:3
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:NPN
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2N5552E3 数据手册

  

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