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2N5550TFR

更新时间: 2024-01-18 05:03:16
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安森美 - ONSEMI 放大器小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 75K
描述
小信号 NPN 双极晶体管

2N5550TFR 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:not_compliant
风险等级:5.69Is Samacsys:N
基于收集器的最大容量:6 pF集电极-发射极最大电压:140 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):60
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz
VCEsat-Max:0.25 VBase Number Matches:1

2N5550TFR 数据手册

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2N5550, 2N5551  
100  
70  
50  
T = 25°C  
J
30  
20  
V
V
CC  
30 V  
BB  
−ꢀ8.8 V  
10.2 V  
V
in  
100  
3.0 k  
R
10  
C
C
ibo  
0.25 mF  
7.0  
5.0  
10 ms  
INPUT PULSE  
R
B
V
out  
5.1 k  
100  
C
3.0  
2.0  
obo  
t , t 10 ns  
DUTY CYCLE = 1.0%  
1N914  
r
f
V
in  
1.0  
0.2 0.3  
0.5 0.7 1.0  
2.0 3.0  
5.0 7.0 10  
20  
Values Shown are for I @ 10 mA  
C
V , REVERSE VOLTAGE (VOLTS)  
R
Figure 6. Switching Time Test Circuit  
Figure 7. Capacitances  
1000  
500  
5000  
I /I = 10  
B
I /I = 10  
C B  
t @ V = 120 V  
CC  
C
f
3000  
2000  
T = 25°C  
J
T = 25°C  
J
t @ V = 120 V  
CC  
t @ V = 30 V  
f CC  
r
300  
200  
1000  
500  
t @ V = 30 V  
CC  
r
100  
50  
300  
200  
t @ V = 120 V  
CC  
s
t @ V  
d
= 1.0 V  
EB(off)  
30  
20  
V
CC  
= 120 V  
100  
50  
10  
0.2 0.3 0.5 1.0  
2.0 3.0 5.0  
10  
20 30 50 100 200  
0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0  
10  
20 30 50  
100 200  
I , COLLECTOR CURRENT (mA)  
C
I , COLLECTOR CURRENT (mA)  
C
Figure 8. Turn−On Time  
Figure 9. Turn−Off Time  
http://onsemi.com  
5

2N5550TFR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2N5550TAR ONSEMI

类似代替

小信号 NPN 双极晶体管
2N5550RLRAG ONSEMI

类似代替

600mA, 140V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, LEAD FREE, CASE 29-11, TO-226AA, 3 P
2N5550TA ONSEMI

类似代替

Small Signal NPN Bipolar Transistor, 2000-FNFLD

与2N5550TFR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N5550TRD CENTRAL

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
2N5550TRE CENTRAL

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
2N5550TRF CENTRAL

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
2N5550TRH CENTRAL

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
2N5551 CENTRAL

获取价格

Small Signal Transistors TO-92 Case (Continued)
2N5551 TYSEMI

获取价格

Switching and amplification in high voltage High voltage(max.180V)
2N5551 KODENSHI

获取价格

NPN Silicon Transistor
2N5551 BWTECH

获取价格

HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
2N5551 SECOS

获取价格

NPN Silicon General Purpose Transistor
2N5551 DCCOM

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TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR